Diodes Inc. ZXM61P02FTA
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXM61P02FTA | 6000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXM61P02FTA | 37 | 37 | |||||||||
| Verical | ZXM61P02FTA | 30.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | ZXM61P02FTA | 84.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXM61P02FTA | 6000 | 3K | 1d |
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$ 0.161
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Stock
5,292,160
90,871
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
900 mA
900 mA
Threshold Voltage
-
-700 mV
Rds On Max
600 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
-
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Input Capacitance
150 pF
-
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-07-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
InfineonBSS214NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS214NH6327XTSA1
InfineonBSS205NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 2.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS205NH6327XTSA1
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXM61P02FTA suministradas por sus distribuidores.
ZXM61P02F Series 20V 0.6 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23
Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Surface Mount
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P SOT-23 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:0.9A; Resistance, Rds On:0.6ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.7V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:4.9A; No. of Pins:3; Power, Pd:625W; Power, Ptot:625W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.6ohm; SMD Marking:P02; Temperature, Current:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Rds Measurement:4.5V; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vgs th Min:-0.7V; Width, Tape:8mm
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Current Rating-800 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance150 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation806 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-700 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation625 mW
Rds On Max600 mΩ
Resistance600 mΩ
Rise Time6.7 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time11.2 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento