Diodes Inc. ZVN3306A
$ 0.375
EOL
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -5.49%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. ZVN3306A.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Diodes Inc. ZVN3306A desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.375
$ 0.433
Stock
284,670
449,948
Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
270 mA
270 mA
Threshold Voltage
2.4 V
-
Rds On Max
5 Ω
5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Input Capacitance
35 pF
35 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZVN3306ASTZ
625mW(Ta) 20V 2.4V@1mA 1N 60V 5¦¸@ 500mA,10V 270mA 35pF@18V TO-92-3 , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
onsemi2N7000-D75Z
2N7000 Series 60V 5 Ohms N-Ch Enhancement Mode Field Effect Transistor - TO-92
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZVN3306A suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 60 V 5 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET- TO-92
N CHANNEL MOSFET, 60V, 270mA, TO-92
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A Automotive 3-Pin E-Line
Mosfet Bvdss: 41V~60V Ep3sc Bulk 4K Rohs Compliant: Yes
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
DiodesZetex NMOS, Vds=60 V, 270 mA, E-Line, , 3
MOSFET, N, E-LINE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:270mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.4V; Power Dissipation Pd:625mW; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:270mA; Current Temperature:25°C; Device Marking:ZVN3306A; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:1.27mm; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Ptot Max:625mW; Pulse Current Idm:3A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -5.49%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)270 mA
Current Rating270 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance35 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation625 mW
Rds On Max5 Ω
Resistance5 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2.4 V
Turn-Off Delay Time6 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. ZVN3306A.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento