Diodes Inc. ZTX605
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Este componente
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Stock
172,957
553,568
Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
120 V
120 V
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
hFE Min
2000
500
Power Dissipation
1 W
1 W
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1997-10-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
onsemiKSC1845PBU
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZTX605 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
120V 2000@5V,1A NPN 1A 1W TO-92-3 Darlington Transistors ROHS
Trans Darlington NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin E-Line
NPN Darlington Transistor ELIN
DiodesZetex , NPN, 1 A, E-Line, , , 3
TRANSISTORS, DARLINGTON, NPN DARLINGTON
DARLINGTON TRANSISTOR, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:5000; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; Av Current Ic:1A; Collector Emitter Voltage Vces:1V; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:1A; Device Marking:ZTX605; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:2000; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:140V
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min2000
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)120 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento