Diodes Inc. MMST5401-7-F
$ 0.082
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | MMST5401-7-F | 8 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | MMST5401-7-F | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | MMST5401-7-F | 0 | 50 | Bulk | 19h | |||||||
| Future Electronics | MMST5401-7-F | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MMST5401-7-F | 0 | 3K | 1d |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.MMST3906-7-F
Single Bipolar Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, 3 Pin, Surface Mount
ROHMDTA115EUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA123JUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiFJX4003RTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. MMST5401-7-F suministradas por sus distribuidores.
MMST5401 Series PNP 150 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-323-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 150V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
TRANSISTOR, PNP, SOT323; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -150V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: -200mA; DC Current Gain hFE: 60hFE; Transistor Case Style: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): -500mV; Current Ic Continuous a Max: -200mA; Gain Bandwidth ft Typ: 300MHz; Hfe Min: 60; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Small Signal
Transistor, Pnp, -150V, -200Ma, 200Mw, Sot-323; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:-150V; Frecuencia De Transición Ft:300Mhz; Disipación De Potencia Pd:200Mw; Corriente De Colector Dc:-200Ma |Diodes Inc. MMST5401-7-F
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-150 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)150 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage150 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-150 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento