onsemi FJX4003RTF
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FJX4003RTF | 30.400 | 2632 | 9h | ||||||||
| Flip Electronics | FJX4003RTF | 15.200 | 4d | |||||||||
| Worldway Electronics | FJX4003RTF | 18.294 | 7 | Tape & Reel | 7h | |||||||
| Anlinkda | FJX4003RTF | 112.735 | 1d | |||||||||
| SHENGYU ELECTRONICS | FJX4003RTF | 7370 | 1 | 1d |
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
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ROHMDTA123EUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiFJX4006RTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de onsemi FJX4003RTF suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Pre-Biased "digital" Transistor,50V V(Br)Ceo,100Ma I(C),sot-323 Rohs Compliant: Yes
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Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-10 V
hFE Min56
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento