Diodes Inc. FCX558TA
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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onsemiKSA1201OTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 80 @ 100mA 5V 800mA 1W 120MHz
onsemiKSA1201YTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 5V 800mA 1W 120MHz
ROHM2SB1580T100
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. FCX558TA suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 400 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
FCX558 Series PNP 0.2 A 400 V SMT Silicon High Voltage Transistor - SOT-89
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 400V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
500mV@ 6mA,50mA PNP 2W 7V 100nA 400V 400V 200mA SOT-89-3 1.6mm
TRANSISTOR, PNP, 400V, 0.2A, SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-400V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Continuous Collector Current-200 mA
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-400 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento