Diodes Inc. DXTA92-13
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-11-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DXT5401-13
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiKSA1201OTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 80 @ 100mA 5V 800mA 1W 120MHz
onsemiKSA1201YTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 5V 800mA 1W 120MHz
ROHMDTA023YEBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DXTA92-13 suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
500mV@ 2mA,20mA PNP 1W 5V 250nA 300V 300V 500mA SOT-89-3 4.5mm*2.48mm*1.5mm
Trans, Pnp, 300V, 0.5A, 150Deg C, 1W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DXTA92-13
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +14.02%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
TypeGeneral Purpose
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento