Diodes Inc. DMN3018SSS-13
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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N & P-Channel 30 V 8.2A/6.2A Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet
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30 V, 10.2 A, 13.5 mOhm Single N-Channel Power MOSFET, SO-8, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN3018SSS-13 suministradas por sus distribuidores.
1.4W(Ta) 25V 2.1V@250µA 13.2nC@10V N-Ch MOSFET 30V 21mΩ@10A,10V 7.3A 697pF@15V SOIC-8 SMD
N-Channel 30 V 21 mO 13.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A Automotive 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CHANNEL, TRANS,30V 7.3A SO8
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance21 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance697 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max21 mΩ
Rise Time4.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20.1 ns
Turn-On Delay Time4.3 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento