Diodes Inc. DMN4800LSSL-13
$ 0.216
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN4800LSSL-13 | 3390 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN4800LSSL-13DICT-ND | 3551 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN4800LSSL-13 | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| Avnet | DMN4800LSSL-13 | 0 | 2500 | 10h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN4800LSSL-13 | 0 | 50 | Bulk | 1d |
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Modelos CAD
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Fichas técnicas y documentos
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| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-10-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN4468LSS-13
1.52W(Ta) 20V 1.95V@ 250¦ÌA 18.85nC@ 10 V 1N 30V 14m¦¸@ 11.6A,10V 10A 867pF@10V SOIC-8 1.5mm
onsemiNTMS4706NR2G
Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8 - for new designs use (NTMS4816N)
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN4800LSSL-13 suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 20 mOhm 8.7 nC 1.46 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
Mosfet, N-Ch, 30V, 8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4800LSSL-13
Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 8 A, SOIC, , 8
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance798 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.46 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max14 mΩ
Rise Time4.5 ns
Turn-Off Delay Time26.33 ns
Turn-On Delay Time5.03 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento