onsemi NTLGF3501NT2G
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.476
$ 0.481
Stock
1,024,936
99,037
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DFN
DFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
2.8 A
2.8 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
90 mΩ
90 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
12 V
Power Dissipation
1.74 W
1.74 W
Input Capacitance
275 pF
275 pF
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMS2120LFWB-7
1.5W(Ta) 12V 1.3V@ 250¦ÌA 1P 20V 95m¦¸@ 2.8A,4.5V 2.9A 632pF@10V WDFN-30208 3mm*2mm*780¦Ìm
Diodes Inc.DMP2069UFY4-7
530mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 9.1nC@ 4.5 V 1P 20V 54m¦¸@ 2.5A,4.5V 2.5A 214pF@10V 1.5mm*2mm*400¦Ìm
Descripciones
Descripciones de onsemi NTLGF3501NT2G suministradas por sus distribuidores.
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 2-Pin SOD-123 T/R
N Channel Mosfet, 20V, 3.4A, Dfn6
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time13.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance275 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.14 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.74 W
Rds On Max90 mΩ
Rise Time13.6 ns
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time4.8 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento