Diodes Inc. DMN10H700S-13
$ 0.087
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN10H700S-13 | 9940 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 31-DMN10H700S-13CT-ND | 1631 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN10H700S-13 | 0 | 10K | 18h | ||||||||
| Avnet | DMN10H700S-13 | 0 | 10K | 3d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN10H700S-13 | 0 | 10K |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-04-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23 / N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN10H700S-13 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 / N-Channel 100 V 700mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
400mW(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 4.6nC@ 10 V 1N 100V 700m¦¸@ 1.5A,10V 700mA 235pF@50V SOT-23-3
Mosfet, N-Ch, 100V, 0.7A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H700S-13
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance235 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max700 mΩ
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