Diodes Inc. ZXMC3A16DN8TC
$ 0.675
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMC3A16DN8TC | 2490 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXMC3A16DN8TCCT-ND | 13.234 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMC3A16DN8TC | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Avnet | ZXMC3A16DN8TC | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| Future Electronics | ZXMC3A16DN8TC | 0 | 2500 | Tape & Reel |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -24.53%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMC3A16DN8TC suministradas por sus distribuidores.
Dual N & P Channel 30 V 6.4 A 2.1 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/5.5A 8-Pin SOIC T/R
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 30V, 6.4A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMC3A16DN8TC
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Current Rating6.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time9.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance796 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max35 mΩ
Resistance48 mΩ
Rise Time6.4 ns
Turn-Off Delay Time21.6 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento