Diodes Inc. DMG2305UXQ-7
$ 0.112
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMG2305UXQ-7 | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Newark | DMG2305UXQ-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMG2305UXQ-7 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Future Electronics | DMG2305UXQ-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | DMG2305UXQ-7 | 0 | 3K |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRLML2502TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML2502GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 20V, 4.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Diodes Inc.DMG2301L-7
Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMG2305UXQ-7 suministradas por sus distribuidores.
DMG Series 20 V 5 mOhm SMT P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Mosfet, P-Ch, 20V, 4.2A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG2305UXQ-7
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SOT23 VDS=20V VGS=±8V ID=4.2A
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.2 A
Drain to Source Resistance52 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance808 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max52 mΩ
Fichas técnicas y documentos
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