Central Semiconductor 2N2102
$ 1.049
Production
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 1.049
$ 0.186
Stock
1,631
2,598
Authorized Distributors
0
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-39
-
Polarity
NPN
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
-
Max Collector Current
1 A
-
Transition Frequency
60 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
-
hFE Min
10
-
Power Dissipation
-
-
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1975-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Descripciones
Descripciones de Central Semiconductor 2N2102 suministradas por sus distribuidores.
TO-39 Through Hole Single EAR99 Bipolar (BJT) Transistor 1A 1W 60MHz 120V
Transistor GP BJT NPN 65V 1A 3-Pin TO-39 Box
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
Small Signal Bipolar Transistor
Alias de fabricantes
Central Semiconductor tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Central Semiconductor también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- CENTRAL SEMI
- CENTRAL
- Central Semiconductor Corp
- CSC
- CEN
- CENTRAL SEMICONDUCTO
- CENT
- CENTRAL SEMICONDUCTORS
- CENTRALSEM
- Central Semicon
- CENT SEMI
- CNTRALSEMI
- CENTRAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
- CTLSEM
- CENTRAL SEMICOND
- CENTRAL SEMICONDUCTORS CORP
- Central Semiconductor Cor
- Central Semiconductor Inc
- CENTRAL SEMICONDUC
- CENTAL SEMI
- CENTRAL SEMI INC
- CENTILLIUM COMMUNICATIONS INC
- CENTRAL SEMI-CONDU
- NPN Central Semi
- CENTRAL SEMIN
- Central Semiconductor Corp.
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Continuous Collector Current1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Gain Bandwidth Product60 MHz
hFE Min10
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
PolarityNPN
Transition Frequency60 MHz
Fichas técnicas y documentos
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