STMicroelectronics STW21N90K5
$ 3.95
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STW21N90K5 | 1.050 | 600 | |||||||||
| Verical | STW21N90K5 | 600 | 600 | |||||||||
| TME | STW21N90K5 | 144 | 1 | 13h | ||||||||
| Newark | 45AC7780 | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | 1019339 | 0 | 30 | Tube |
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW21N90K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
N-Channel 900 V 18.5A 299 mOhm Through Hole SuperMESH 5 Power Mosfet - TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
DUAL GIG ETH CNTLR+INT PCE-E-P
Mosfet, N-Ch, 900V, 18.5A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:900V; Continuous Drain Current Id:18.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW21N90K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance299 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.645 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max299 mΩ
Resistance299 MΩ
Rise Time27 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height24.45 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant