Wolfspeed C3M0021120K
$ 10.328
Production
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3-Monats-Trend: +274%
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0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Wolfspeed C3M0021120K, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: N-MOSFET; SIC; unipolar; 1200V; 21mohm; 459W;-55+175 deg.C; THT; TO247-4
Silicon Carbide Power MOSFET C3M Planar MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode
Wolfspeed
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 175DEG C, 469W; Available until stocks are exhausted Alternative available
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1200V, 0.0288ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Aliasnamen des Herstellers
Wolfspeed verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Wolfspeed ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Wolfspeed Inc
- Cree/Wolfspeed
- Wolfspeed - a Cree company
- Wolfspeed / Cree
- WOLFSPEED INC (CREE)
- WOLFSOn semi
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +274%
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Current Rating100 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance28.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)19 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation469 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation469 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time57 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Dimensions
Height27.97 mm
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