Winbond W632GG8NB12I

Active Volatile ROHS3Compliant Parallel ic memory -40C~95C TC 1.425V~1.575V 2Gb 256M x 8 20ns
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Winbond W632GG8NB12I herunter.

IHS

Datasheet161 SeitenVor 7 Jahren

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.36
Introduction Date2019-01-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 year ago)
LTB Date2024-10-21
LTD Date2025-01-20

Beschreibungen

Beschreibungen von Winbond W632GG8NB12I, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Active Volatile ROHS3Compliant Parallel ic memory -40C~95C TC 1.425V~1.575V 2Gb 256M x 8 20ns
DRAM 2Gb DDR3 SDRAM, x8, 800MHz, Industrial Temp
VFBGA-78(8x10.5) DDR SDRAM ROHS
DDR3 DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA

Aliasnamen des Herstellers

Winbond verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Winbond ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Winbond Electronics
  • ISD
  • WIN
  • WINBON
  • WINBOND ELECTRONICS CORP
  • Winbond Electronics Corporation
  • WINB
  • WINDBOND
  • WINDOND
  • INFORMATION STORAGE DEVICES
  • Winbond Elec
  • WINBND
  • WINBOD
  • WinbondPb
  • WINBOND/PBF
  • WINBOND ELECTRO
  • WINBOUND
  • Winbond Electronics Corporation America
  • WINBOND Semiconductor
  • WINBONDELE
  • WINBNDELEC
  • WINBOND ELECT CORP
  • WINBOn semiD
  • WINBONB
  • Winbond Corp

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • W632GG8NB-12I