WeEn Semiconductors WMSC030H12B1P6T
$ 26.881
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | WMSC030H12B1P6T | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Avnet | WMSC030H12B1P6T | 0 | 120 | 23h |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2024-02-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von WeEn Semiconductors WMSC030H12B1P6T, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 53 A, 1.2 kV, 40 Milliohms, Module, 18 Pins
Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
WeEn Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. WeEn Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- WEEN
- WEEN SEMICONDUCTORS CO LTD
- WEEN SEMICONDUCTOR
- WE EN SEMICONDUCTOR CO LTD
- WeEn Semiconductor(Hong Kong)CoLimited
- WeEn Semiconductors (Hong Kong)
- WEEN/NXP
- WEEN SEMICONDUCTORS(RoHS)
- WeEn Semicondutors
- WEEN SEMICONDUCTOR(HONG KONG)
- WeEn Semi
- WeEn Semiconductors (Hong Kong) Co
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals18
Technical
Continuous Drain Current (ID)53 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation111 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements2
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