Vishay VS-GT250SA60S

Name: Vishay VS-GT250SA60S
Brand: Vishay
SKU: VS-GT250SA60S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 359A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

$ 27.778

Production

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Distributor	SKU		Min	Pkg
DigiKey	112-VS-GT250SA60S-ND	147	1	Tube	43,320	32,387	32,387	28,125	28,125
Newark	VS-GT250SA60S	0	1		32,630	31,050	22,030	22,030	22,030
Avnet	VS-GT250SA60S	0	160					27,778	26,471	2d
TTI Asia	VS-GT250SA60S	Kontakt						24,220	24,220	3h
TTI Europe	VS-GT250SA60S	0	160	Bulk				33,654*	33,654*	2h

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 4 Jahren

Future Electronics

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-08-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay VS-GT250SA60S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 359A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Insulated Gate Bipolar Transistor, Ultralow VCE(on), 250 A

Future Electronics

晶体管, IGBT 模块, 600V, 359A, 750W, SOT-227;

element14 APAC

IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227

Easev

IGBT, SINGLE, 600V, 359A, SOT-227; Continuous Collector Current:359A; Collector Emitter Saturation Voltage:-; Power Dissipation:750W; Operating Temperature Max:175°C; IGBT Termination:Stud; Collector Emitter Voltage Max:600V RoHS Compliant: Yes

Newark

Bilder

Vishay

RS

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: