Vishay SUP40012EL-GE3
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-11-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SUP40012EL-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin TO-220AB T/R
Avnet Japan
Single N-Channel 40 V 1.79 mOhm Through Hole TrenchFET® Power Mosfet - TO-220
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 40V, 0.00179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 150A, 40V, To-220Ab; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.00149Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SUP40012EL-GE3
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -11.53%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.79 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height19.31 mm