Vishay SQS482EN-T1_GE3
$ 0.507
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SQS482EN-T1_GE3CT-ND | 12.984 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SQS482EN-T1-GE3 | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | SQS482EN-T1_GE3 | 0 | 3K | |||||||||
| Farnell | SQS482EN-T1-GE3 | 0 | 5 | 4h | ||||||||
| Mouser | 781-SQS482EN-T1_GE3 | 1.541 | 1 | Tape & Reel |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-01
LTD Date2015-08-30
Verwandte Teile
InfineonIRFHM8330TRPBF
Single N-Channel 30 V 6.6 mOhm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
InfineonIRF7805ZPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SQS482EN-T1_GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
62W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 39nC@ 10 V 1N 30V 8.5m¦¸@ 16.4A,10V 16A 1.865nF@25V 3.3mm*3.3mm*1.04mm
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 20V, 16A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:62W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.865 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation62 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen