Vishay SQS420EN-T1_GE3
$ 0.494
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SQS420EN-T1_GE3CT-ND | 7.765 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SQS420EN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 13h | |||||||
| Newark | SQS420EN-T1_GE3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SQS420EN-T1_GE3 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| TTI Europe | SQS420EN-T1/GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 14h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -11.81%
CAD-Modelle
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-01
LTD Date2015-08-30
Verwandte Teile
VishaySI2312CDS-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 0.0318ohm; 2.1W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMG6968U-7
Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SQS420EN-T1_GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 8 A, 20 V, 0.0235 Ohm, 4.5 V, 600 Mv
18W(Tc) 8V 1.5V@ 250¦ÌA 14nC@ 4.5 V 1N 20V 28m¦¸@ 5A,4.5V 8A 490pF@10V 3.3mm*3.3mm*1.04mm
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 20V, 8A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0235ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV; Power Dissipation Pd:18W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -11.81%
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance490 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation18 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max28 mΩ
Rise Time8 ns
Threshold Voltage600 mV
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen