Vishay SQ2364EES-T1_GE3
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Lieferkette
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SQ2364EES-T1_GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 / N-Channel 60 V 2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Tranzystor MOSFET, Kanal N, 2 A, 60 V, 0.19 ohm, 4.5 V, 600 mV
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
N-Channel 60-V (D-S) 175C Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SQ2364EES-T1_GE3
Automotive N-Channel 60V RDSON 0.245 MOSFET SOT-23
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -39.93%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance245 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Datenblätter und Dokumente
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