Vishay SIZ900DT-T1-GE3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-02-26
LTD Date2019-08-26
Verwandte Teile
VishaySIRA14DP-T1-GE3
VISHAY SIRA14DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 1.1 V
VishaySIZ918DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 28A, POWERPAK-10; Transistor Polarity:Dual N Channel; Co
VishaySIRA12DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIZ900DT-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 19A/28A 6-Pin PowerPAIR T/R
MOSFET 30V 24/28A 48/100W 7.2/3.9mOhms @ 10V
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0072ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, NN CH, 30V, PPAIR 6X5; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:48W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAIR; No. of Pins:8; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):0.0059ohm; Power Dissipation Pd:48W
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.83 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingDigi-Reel®
Rds On Max7.2 mΩ
Threshold Voltage1.2 V
Dimensions
Height750 µm
Length6 mm
Width5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen