Vishay SISS71DN-T1-GE3
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SISS71DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 100-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SISS71DN-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
57W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 15nC@ 4.5 V 1P 100V 59m¦¸@ 5A,10V 23A 1.05nF@50V 1212 3.3mm*3.3mm*780¦Ìm
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-100Volt, -23Amp, 59MOHM rdsOn @ 10V , PPAK3X3
MOSFET, P-CH, -100V, -23A, POWERPAK1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-23A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -55.86%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance82 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.8 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.5 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height830 µm
Datenblätter und Dokumente
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