Vishay SISS26DN-T1-GE3
$ 1.15
Production
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -31.88%
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SISS26DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S / N-Channel 60 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
N-Channel 60-V (D-S) Mosfet |Vishay SISS26DN-T1-GE3
57W 20V 3.6V 37nC 1N 60V 4.5m¦¸ 60A 1.71nF SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
60V 60A N-ch 0.0045 Ohm PowerPAK 1212-8S
MOSFET, N-CH, 60V, 60A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0037ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -31.88%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.8 W
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height830 µm
Datenblätter und Dokumente
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