Vishay SISH402DN-T1-GE3

Name: Vishay SISH402DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISH402DN-T1-GE3

N-Channel 30 V 0.006 Ohm 12 nC TrenchFET® Power Mosfet-PowerPAK 1212-8SH

$ 0.462

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		SISH402DN-T1-GE3	6.000	3K						0,361	21h
DigiKey	3	SISH402DN-T1-GE3CT-ND	5.483	1	Cut Tape	1,570	0,989	0,657	0,469	0,469
TME	2	SISH402DN-T1-GE3	0	1		1,400	0,894	0,608	0,581	0,581	18h
TTI		SISH402DN-T1-GE3	0	6K	Tape & Reel					0,356	20h
Newark	2	SISH402DN-T1-GE3	0	1	Cut Tape	1,480	0,941	0,631	0,455	0,455

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 2 Jahren

Future Electronics

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-01-02

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SISH402DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 30 V 0.006 Ohm 12 nC TrenchFET® Power Mosfet-PowerPAK 1212-8SH

Future Electronics

Transistor MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212

Avnet Japan

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Mosfet, N-Ch, 30V, 35A, 150Deg C, 52W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.0048Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SISH402DN-T1-GE3

Newark

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Vishay

Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: