Vishay SISB46DN-T1-GE3
$ 0.486
NRND
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Lieferkette
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SISB46DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N-Channel 40 V 11.71 mOhm 23 W TrenchFET Gen IV Mosfet-PowerPAK 1212-8 Dual
Mosfet, N-Ch, 40V, 34A, 150Deg C, 23W Rohs Compliant: Yes |Vishay SISB46DN-T1-GE3
MOSFET Devices; VISHAY; SISB46DN-T1-GE3; 40 V; 11.4 A; 20 V; 2.6 W
Trans MOSFET N-CH 40V 11.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
MOSFET Dual N-Channel 40V 34A 8-Pin PowerPAK T/R
Avnet Japan
2.6W 20V 2.2V@ 250¦ÌA 11nC@ 4.5V 2N 40V 11.71m¦¸@ 5A,10V 34A 1.1nF@20V 1212 3.05mm*3.05mm*1.07mm
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 40V, 0.0158ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 34A, 150度 C, 23W;
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance15.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation23 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.6 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Datenblätter und Dokumente
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