Vishay SISA96DN-T1-GE3
$ 0.23
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SISA96DN-T1-GE3 | 6.663 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | SISA96DN-T1-GE3 | 6.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | SISA96DN-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SISA96DN-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SISA96DN-T1-GE3CT-ND | 14.405 | 1 | Cut Tape |
Bestandsverlauf
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SISA96DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 8.8 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 / N-Channel 30 V 16A (Tc) 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
N-Channel 30-V (D-S) Mosfet |Vishay SISA96DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
MOSFET, N-CH, 30V, 16A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 16A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0073ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.2V; Power Dissipation Pd: 26.5W; Transistor Case Style: PowerPAK 1212; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -5.29%
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation26.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.17 mm
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