Vishay SISA88DN-T1-GE3

Name: Vishay SISA88DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISA88DN-T1-GE3

Transistor MOSFET N-CH 30V 40.5A 8-Pin PowerPAK 1212

$ 0.266

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	SISA88DN-T1-GE3CT-ND	51.213	1	Cut Tape	0,980	0,610	0,396	0,275	0,275
TTI		SISA88DN-T1-GE3	12.000	3K	Tape & Reel					0,169	23h
TME	2	SISA88DN-T1-GE3	0	1		0,780	0,484	0,305	0,274	0,274	19h
Newark	2	SISA88DN-T1-GE3	0	1	Cut Tape	0,798	0,497	0,324	0,225	0,225
Future Electronics		SISA88DN-T1-GE3	0	3K	Tape & Reel					0,166

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 5 Jahren

Future Electronics

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-10-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SISA88DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET N-CH 30V 40.5A 8-Pin PowerPAK 1212

Avnet Japan

3.2W(Ta),19.8W(Tc) 20V,16V 2.4V@ 250¦ÌA 25.5nC@ 10 V 1N 30V 6.7m¦¸@ 10A,10V 16.2A,40.5A 985pF@15V

UnikeyIC

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 40.5A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK

Vigor Components

Mosfet, N-Ch, 30V, 40.5A, 150Deg C; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.0054Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SISA88DN-T1-GE3

Newark

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: