Vishay SISA24DN-T1-GE3
$ 0.474
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -12.38%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie Vishay SISA24DN-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-06-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SISA24DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 25 V 1.4 mOhm 52 W TrenchFET Gen IV Mosfet - PowerPAK 1212-8
Mosfet, N-Ch, 25V, 60A, Powerpak 1212 Rohs Compliant: Yes |Vishay SISA24DN-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
52W(Tc) 20V,16V 2.1V@ 250¦ÌA 26nC@ 4.5 V 1N 25V 1.4m¦¸@ 15A,10V 60A 2.65nF@10V 3.3mm*3.3mm*1.04mm
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
MOSFET, N-CH, 25V, 60A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.00115ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -12.38%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.17 mm