Vishay SIS862ADN-T1-GE3

Name: Vishay SIS862ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIS862ADN-T1-GE3

Single N-Channel 60 V 7.2 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

$ 0.467

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SIS862ADN-T1-GE3	958	1	Cut Tape	1,330	1,080	0,839	0,662	0,622
Arrow Electronics		SIS862ADN-T1-GE3	4.479	1		1,475	0,945	0,606	0,437	0,336
Verical		SIS862ADN-T1-GE3	4.479	18				0,606	0,437	0,336
Future Electronics		SIS862ADN-T1-GE3	6.000	3K	Tape & Reel					0,595
DigiKey	3	SIS862ADN-T1-GE3CT-ND	38.486	1	Cut Tape	1,560	0,984	0,654	0,467	0,467

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 5 Jahren

Future Electronics

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-03-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIS862ADN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 60 V 7.2 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 60V, 52A, 150DEG C, 39W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:52A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0057ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.

element14 APAC

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 52 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 8.6 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 10 / Rise Time ns = 73 / Turn-OFF Delay Time ns = 21 / Turn-ON Delay Time ns = 20 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 39

Distrelec

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: