Vishay SIS478DN-T1-GE3
Obsolete
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Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 6 Jahren
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2019-02-26
LTD Date2019-08-26
Verwandte Teile
VishaySIS412DN-T1-GE3
SiS412DN Series N-Channel 30 V 24 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
STMicroelectronicsSTS11N3LLH5
Mosfet Transistor, N Channel, 11 A, 30 V, 0.0117 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7403TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.5A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIS478DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 30 V 0.02 Ohm 3.6 nC SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,N CH,DIODE,30V,12A,PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:3.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9.4A; Power Dissipation Pd:3.2W; Voltage Vgs Max:25V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance398 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.2 W
Rds On Max20 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 6 Jahren
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen