Vishay SIS414DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Win SourceWS-SIS414DN-T1-GE33.77045
2h
SHENGYU ELECTRONICSSIS414DN-T1-GE319.8431
2d
Best SourceSIS414DN-T1-GE314.297
11h
ALLICDATA ELECTRONICSSIS414DN-T1-GE39.000Tape & Reel
1h
Fly-Wing TechnologySIS414DN-T1-GE37.680
26m

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 4 Jahren

element14 APAC

Newark

Farnell

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2019-02-26
LTD Date2019-08-26

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Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIS414DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Avnet
30V 20A 31W 16m´Î@4.5V10A 1.5V@250Ã×A N Channel PowerPAK 1212-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
TRANSISTOR MOSFET POWER N-CHANNEL 30
Component Sense
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
DigiKey
30V, 20A, 0.016 Ohms, PowerPAK 1212-8
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
N-CH 30V 20A 16mOhm PPAK1212-8
Rutronik
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:20A; On Resistance Rds(On):0.013Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600Mv; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Newark
MOSFET,N CH,DIODE,30V,20A,PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:3.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10.8A; Power Dissipation Pd:3.4W; Voltage Vgs Max:12V
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Bilder

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Farnell

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SIS414DN-T1-GE3.