Vishay SIS413DN-T1-GE3

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 18 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
$ 0.361
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
70AC64823.0003K
1d
Future ElectronicsSIS413DN-T1-GE342.0003KTape & Reel
Arrow ElectronicsSIS413DN-T1-GE33.0003K
Verical
2
SIS413DN-T1-GE33.0003K
DigiKey
3
SIS413DN-T1-GE3CT-ND32.1541Cut Tape

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIS413DN-T1-GE3 herunter.

Upverter

Datasheet13 SeitenVor 8 Jahren
Technical Drawing1 SeiteVor 18 Jahren

Newark

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-26.61%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SIS413DN-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIS413DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 18 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
EBV Elektronik
P-Channel 30-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: No |Vishay SIS413DN-T1-GE3
Newark
MOSFET, P-CH, -30V, -18A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Source Voltage Vds:-30V; On
element14 APAC
MOSFET, P-CH, -30V, -18A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -18A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.0076ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2.5V; Power Dissipation Pd: 52W; Transistor Case Style: PowerPAK 1212; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
Farnell

Bilder

Farnell
TME
RS
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SIS413DNT1GE3