Vishay SIS407DN-T1-GE3
$ 0.541
Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIS407DN-T1-GE3 | 2.900 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SIS407DN-T1-GE3 | 6.000 | 3K | |||||||||
| Verical | SIS407DN-T1-GE3 | 6.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SIS407DN-T1-GE3CT-ND | 31.483 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIS407DN-T1-GE3 | 6.000 | 3K | Tape & Reel | 6h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIS407DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK / Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 25 A, 0.0082 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Single P-Channel 20 V 0.0095 O 38 nC Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
3.6W(Ta),33W(Tc) 8V 1V@ 250¦ÌA 93.8nC@ 8 V 1P 20V 9.5m¦¸@ 15.3A,4.5V 25A 2.76nF@10V PAKSO-8,PPAK-1212-8 3.05mm*3.05mm*1.07mm
Mosfet, P-Ch, -20V, -25A, Powerpak-8, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:25A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Power Dissipation:33W; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Vishay SIS407DN-T1-GE3.
MOSFET,P CH,DIODE,20V,25A,PPAK1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-25A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):8200µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:3.6W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-15.4A; Power Dissipation Pd:3.6W; Voltage Vgs Max:-8V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-8 V
Input Capacitance2.76 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation33 W
Rds On Max9.5 mΩ
Resistance9.5 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time92 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen