Vishay SIS334DN-T1-GE3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-02-11
LTD Date2016-02-11
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIS334DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
MOSFET 30 Volts 20 Amps 50 Watts
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance640 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max11.3 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Datenblätter und Dokumente
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