Vishay SIRA99DP-T1-GE3
$ 1.56
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SIRA99DP-T1-GE3 | 1.853 | 30 | |||||||||
| TME | SIRA99DP-T1-GE3 | 1.853 | 1 | 10h | ||||||||
| TTI | SIRA99DP-T1-GE3 | 0 | 6K | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Newark | SIRA99DP-T1-GE3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SIRA99DP-T1-GE3 | 0 | 6K | 4d |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -90.61%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIRA99DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET P-Channel 30V 195A 8-Pin SOIC
Avnet Japan
Trans MOSFET P-CH 30V 195A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay PMOS, Vds=30 V, 195 A, PowerPAK SO-8, , 8
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Mosfet, P-Ch, -30V, -195A, Powerpak So-8; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:195A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V Rohs Compliant: Yes |Vishay SIRA99DP-T1-GE3
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -90.61%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)-20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.35 W
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Datenblätter und Dokumente
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