Vishay SIR438DP-T1-GE3
$ 0.974
NRND
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SIR438DP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SIR438DP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SIR438DP-T1-GE3CT-ND | 189 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR438DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 9h | ||||||||
| TTI | SIR438DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 22h |
Bestandsverlauf
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Prices include import duty and tax. MOSFET Transistor, N Channel, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V;
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR438DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 25 V 1.8 mOhm 105 nC 83 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 25V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
5.4W(Ta),83W(Tc) 20V 2.3V@ 250¦ÌA 105nC@ 10 V 1N 25V 1.8m¦¸@ 20A,10V 60A 4.56nF@10V 6.15mm*5.15mm*1.04mm
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.56 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.4 W
Rds On Max1.8 mΩ
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time37 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen