Vishay SIR403EDP-T1-GE3
$ 0.451
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 742-SIR403EDP-T1-GE3CT-ND | 7.390 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIR403EDP-T1-GE3 | 3.000 | 3K | Tape & Reel | 8h | |||||||
| TME | SIR403EDP-T1-GE3 | 0 | 3K | 3h | ||||||||
| Newark | SIR403EDP-T1-GE3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SIR403EDP-T1-GE3 | 0 | 3K | 2d |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -1.12%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIR403EDP-T1-GE3 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Vishay SIR403EDP-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-03-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySISS27DN-T1-GE3
SISS27DN-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK 1212
VishaySIR468DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.0057 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
InfineonIRFH5306TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIPD050N03LGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR403EDP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 30-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SIR403EDP-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
5W(Ta),56.8W(Tc) 25V 2.8V@ 250¦ÌA 153nC@ 10 V 1P 30V 6.5m¦¸@ 13A,10V 40A 4.62nF@15V 6.15mm*5.15mm*1.04mm
P-CH POWERPAK SO-8 COPPER 30V 6.5 MO;
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -1.12%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.62 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation56.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation5 W
Rds On Max6.5 mΩ
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIR403EDP-T1-GE3 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen