Vishay SIR182DP-T1-RE3
$ 0.969
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIR182DP-T1-RE3 | 8.690 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SIR182DP-T1-RE3 | 6.000 | 6K | |||||||||
| Arrow Electronics | SIR182DP-T1-RE3 | 6.000 | 6K | |||||||||
| DigiKey | SIR182DP-T1-RE3CT-ND | 24.512 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIR182DP-T1-RE3 | 36.000 | 3K | Tape & Reel | 3h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +1.30%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIR182DP-T1-RE3 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Vishay SIR182DP-T1-RE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR182DP-T1-RE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET N-Channel Single 60V VDS ±20V VGS 60A ID 8-Pin PowerPAK SOIC T/R
Transistor MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO
Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
MOSFET Devices; VISHAY; SIR182DP-T1-RE3; 60 V; 31.4 A; 20 V; 5 W
MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=31.4A RDS(ON)=2.8mΩ@10V PowerPAK®SO-8
60V 60A 2.8mΩ@10V,15A 69.4W N Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 117A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
69.4W(Tc) 20V 3.6V@ 250¦ÌA 64nC@ 10 V 1N 60V 2.8m¦¸@ 15A,10V 60A 3.25nF@30V PPAKSO-8 4.9mm*5.89mm*1.07mm
MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
MOSFET, N-CH, 60V, 0.06A, POWERPAK SO; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +1.30%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)117 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIR182DP-T1-RE3 herunter.