Vishay SIR166DP-T1-GE3
$ 0.688
NRND
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 742-SIR166DP-T1-GE3CT-ND | 2.081 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR166DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 21h | ||||||||
| TTI | SIR166DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 10h | |||||||
| Newark | SIR166DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | SIR166DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Single N-Channel 30 V 3.5 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIR166DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SiR166DP Series N-Channel 30 V 0.0040 Ohm 48 W SMT Mosfet - PowerPAK® SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
5W(Ta),48W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 77nC@ 10 V 1N 30V 3.2m¦¸@ 15A,10V 40A 3.34nF@15V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
MOSFET,N CH,DIODE,30V,40A,PPAKSO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2600µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:29.5A; Power Dissipation Pd:5W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.34 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation5 W
Rds On Max3.2 mΩ
Resistance4 MΩ
Rise Time21 ns
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen