Vishay SIHG21N80AE-GE3

Name: Vishay SIHG21N80AE-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHG21N80AE-GE3

E-Series Power Mosfet, Single - N-Channel, 800V, 17.4A, TO-247AC

$ 2.45

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Onlinecomponents.com		SIHG21N80AE-GE3	456	20	Bulk			3,890	3,580	3,440
DigiKey		SIHG21N80AE-GE3-ND	460	1	Tube	6,030	6,030	2,888	2,248	2,148
TTI		SIHG21N80AE-GE3	500	50	Tube			2,470	2,400	2,360	1d
TME	2	SIHG21N80AE-GE3	0	1		5,520	4,870	3,550	3,550	3,550	20h
Avnet		SIHG21N80AE-GE3	0	500					2,322	2,148	4d

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JRH Electronics

Datasheet10 SeitenVor 5 Jahren

Future Electronics

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-05-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIHG21N80AE-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

E-Series Power Mosfet, Single - N-Channel, 800V, 17.4A, TO-247AC

Distrelec

N-Channel 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-247AC

JRH Electronics

Power Field-Effect Transistor, 17.4A I(D), 800V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

IHS

Vishay NMOS, Vds=800 V, 17.4 A, TO-247AC, , 3

UnikeyIC

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC

Vigor Components

VISHAY SEMICONDUCTOR SIHG21N80AE-GE3

Rapid Electronics

Mosfet, N-Ch, 800V, 17.4A, 150Deg C, 32W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.4A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):0.205Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG21N80AE-GE3

Newark

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: