Vishay SIHB35N60EF-GE3

Name: Vishay SIHB35N60EF-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHB35N60EF-GE3

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

$ 2.95

Production

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

Autorisierte Distributoren

Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

Alle Preisnachlässe anzeigen

Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics		SIHB35N60EF-GE3	1.000	1K	Tube				4,220	4,220
Verical	2	SIHB35N60EF-GE3	1.000	2			3,653	3,388	2,947	2,947
Arrow Electronics		SIHB35N60EF-GE3	1.000	1		5,966	3,653	3,388	2,947	2,947
TME	2	SIHB35N60EF-GE3	0	1		5,570	4,890	4,890	4,890	4,890	42m
TTI		SIHB35N60EF-GE3	0	1K	Tape & Reel				2,950	2,950	14h

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -1.09%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIHB35N60EF-GE3 herunter.

IHS

Datasheet10 SeitenVor 6 Jahren

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:

-1.09%

Powered by

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIHB35N60EF-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Verical

MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Mosfet, N-Ch, 32A, 600V, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.084Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Vishay SIHB35N60EF-GE3

Newark

Bilder

Vishay

element14 APAC

TME

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: