Vishay SIHB186N60EF-GE3

Name: Vishay SIHB186N60EF-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIHB186N60EF-GE3

Mosfet, N-Ch, 600V, 8.4A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHB186N60EF-GE3

$ 1.55

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	SIHB186N60EF-GE3	338	1		3,900	1,970	1,870	1,600	1,600
DigiKey	742-SIHB186N60EF-GE3-ND	3.274	1	Tube	4,220	4,220	1,947	1,481	1,330
TTI	SIHB186N60EF-GE3	2.000	4	Tube		1,530	1,450	1,400	1,400	6h
Avnet	SIHB186N60EF-GE3	0	1K					1,520	1,364	1d
TTI Europe	SIHB186N60EF-GE3	0	1K	Tube				1,467*	1,467*	1d

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 5 Jahren

Future Electronics

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-05-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIHB186N60EF-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Mosfet, N-Ch, 600V, 8.4A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHB186N60EF-GE3

Newark

Transistor MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin TO-263

Avnet Japan

Vishay NMOS EF, Vds=600 V, 8.4 A, D2PAK (TO-263), , 3

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 600V, 0.193ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Bilder

Vishay

element14 APAC

Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: