Vishay SIDR870ADP-T1-GE3

Name: Vishay SIDR870ADP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIDR870ADP-T1-GE3

125W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 80nC@ 10 V 1N 100V 6.6m¦¸@ 20A, 10V 95A 2.866nF@50V SOIC-8

$ 1.012

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	SIDR870ADP-T1-GE3CT-ND	17.403	1	Cut Tape	2,980	1,925	1,325	1,012	1,012
Avnet		SIDR870ADP-T1-GE3	3.000	3K						0,876	9h
Newark	2	SIDR870ADP-T1-GE3	33.472	5	Cut Tape		1,270	1,270	1,270	1,270
Future Electronics		SIDR870ADP-T1-GE3	3.000	3K	Tape & Reel					0,860
Arrow Electronics	2	SIDR870ADP-T1-GE3	6.000	1		1,823	1,428	1,116	0,906	0,840

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Newark

Datasheet9 SeitenVor 5 Jahren

element14 APAC

Future Electronics

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-07-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIDR870ADP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

125W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 80nC@ 10 V 1N 100V 6.6m¦¸@ 20A,10V 95A 2.866nF@50V SOIC-8

Unikeyic (ICkey)

Single N-Channel 100 V 21.8 A 6.25 W Surface Mount Mosfet - POWERPAK-SO-8DC

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, N CH, 100V, 95A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:95A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power RoHS Compliant: Yes

Newark

Bilder

Vishay

Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: