Vishay SIDR626DP-T1-GE3

Single N-Channel 60 V 1.7 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8DC
$ 1.83
NRND
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IHS

Datasheet9 SeitenVor 5 Jahren

Future Electronics

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Lieferkette

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-07-17
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SIDR626DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 60 V 1.7 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8DC
6.25W(Ta),125W(Tc) 20V 3.4V@ 250¦ÌA 102nC@ 10 V 1N 60V 1.7m¦¸@ 20A,10V 42.8A,100A 5.13nF@30V
Trans MOSFET N-CH 60V 42.8A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, 150Deg C, 125W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.0014Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SIDR626DP-T1-GE3

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric