Vishay SIA446DJ-T1-GE3
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Lieferkette
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN15H310SK3-13
MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252 / N-Channel 150 V 8.3A (Tc) 32W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIA446DJ-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 150 V 177 mOhm 19 W ThunderFET Mosfet PowerPAK-SC-70-6L
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
MOSFET, N CH, 150V, 7.7A, POWERPAK SC70
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70 / N-Channel 150 V 7.7A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 150V, 0.177ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3.5W(Ta),19W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 8nC@ 10 V 1N 150V 177m¦¸@ 3A,10V 7.7A 230pF@75V 2.05mm*2.05mm*750¦Ìm
PowerPAK SC-70-6L MOSFETs ROHS
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance177 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance230 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max177 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.5 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm