Vishay SIA431DJ-T1-GE3
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Israel
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIA431DJ-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 20 V 25 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), -20V, 0.025ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-12A; Drain Source Voltage, Vds:-20V; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.85V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -1.31%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19 W
Min Breakdown Voltage-20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-850 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 MΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen