Vishay SIA400EDJ-T1-GE3
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Preis und Lagerbestand
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Lieferkette
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIA483DJ-T1-GE3
Single P-Channel 30 V 3.5 W 45 nC Silicon SMT Mosfet - POWERPAK-SC-70-6L
VishaySI7619DN-T1-GE3
Si7619DN Series P-Channel 30 V 0.021 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIA400EDJ-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 0.025 Ohm 17.4 nC 3.5 W Silicon Mosfet - POWERPAK-SC-70-6L
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 12 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
N-Channel 30-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: No |Vishay SIA400EDJ-T1-GE3
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.265 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max19 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen